|
Detail produk:
|
| Ukuran chip: | 1 mm2 | Paket: | SMD 3535 |
|---|---|---|---|
| Fitur: | Jendela kuarsa transparan tinggi, sensitivitas tinggi, arus gelap rendah | Panjang gelombang respons: | 290-440 nm |
| Menyoroti: | Sensor Fotodioda UV berbasis InGaN,Penyembuhan Sensor Fotodioda UV,Detektor UV Fotodioda |
||
Deskripsi Produk:
GS-UVV-3535LCW InGaN-Based UV Photodiode Sensor Detector Pengukuran Radiasi Curing
Fitur:
Fitur Umum:
l Bahan berbasis Indium Gallium Nitride
L Operasi modus fotovoltaik
l SMD 3535 keramik paket dengan jendela kuarsa
l Responsifitas tinggi dan arus gelap rendah
Aplikasi: Pemantauan UV LED, pengukuran dosis radiasi UV, UV Curing
Parameter Simbol Nilai Unit Rating maksimum
Kisaran suhu operasi Topt -25-85 oC
Rentang suhu penyimpanan Tto -40-85 oC
Suhu pengelasan (3 s) Tsol 260 oC
Tegangan terbalik Vr-max -10 V
Karakteristik umum (25 oC) Ukuran chip A 1 mm2 Arus gelap (Vr = -1 V) Id <1 nA Koefisien suhu Tc 0,05 %/ oC Kapasitas (pada 0 V dan 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Koefisien suhu Tc 0.065 %/ oC Kapasitas (pada 0 V dan 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Koefisien suhu (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Kapasitas (pada 0 V dan 1 MHz) Cp 18 p>
Spesifikasi:
| Panjang gelombang responvisitas puncak | λ p 390 nm |
| Responvisitas puncak (pada 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
| Jangkauan respon spektral (R=0,1 × Rmax) | 290-440 nm |
| Rasio penolakan UV terlihat (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Kontak Person: Xu
Tel: 86+13352990255
