logo
Mengirim pesan
  • Indonesian
Rumah ProdukSensor Fotolistrik Inframerah

YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band

Sertifikasi
Cina ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Sertifikasi
Cina ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Sertifikasi
I 'm Online Chat Now

YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band

YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band
YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band

Gambar besar :  YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band

Detail produk:
Place of Origin: Japan
Nama merek: HAMAMATSU
Model Number: S1337-66BR
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Minimum Order Quantity: 1
Packaging Details: boxed
Delivery Time: 3 days
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability: 2200

YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band

Deskripsi
Receiving surface: 5.8 × 5.8 mm Reverse voltage (Max.): 5V
Photosensitivity (typical value): 0.62 A/W Dark current (Max.): 100 pA
Menyoroti:

Fotometri presisi Silikon fotodioda

Deskripsi Produk:

S1337-66BR Silikon fotodioda cocok untuk fotometri presisi di ultraviolet untuk pita inframerah

Fitur:

Cocok untuk fotometri yang tepat dalam pita ultraviolet hingga inframerah

Permukaan penerima 5,8 × 5,8 mm

Keramik yang terkapar

Kategori paket --

Jenis pendingin yang tidak didinginkan

Tegangan terbalik (maks.) 5 V

Kisaran respon spektral 340 sampai 1100 nm

Panjang gelombang sensitivitas maksimum (nilai khas) 960 nm

Sensitivitas cahaya (nilai khas) 0,62 A/W

Arus gelap (Max.) 100 pA

Waktu naik (nilai khas) 1 μs

Kapasitas persimpangan (tipikal) 380 pF

Kekuatan setara kebisingan (nilai khas) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2

Nilai khas dari kondisi pengukuran Ta=25°C, fotosensitivitas: λ = 960 nm, arus gelap: VR = 10 mV, kapasitansi simpang: VR = 0 V, f = 10 kHz, kecuali dinyatakan sebaliknya

Spesifikasi:

Jangkauan respon spektral 340 sampai 1100 nm
Panjang gelombang sensitivitas maksimum (nilai khas) 960 nm
Sensitivitas cahaya (nilai khas) 0.5A /W
Arus gelap (Max.) 100 pA

YJJ S1337-66BR Silicon Photodiode Cocok Untuk Fotometri Presisi Di Ultraviolet Untuk Infrared Band 0

Rincian kontak
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Kontak Person: Miss. Xu

Tel: 86+13352990255

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)