Rumah Produk

Sensor Fotolistrik Inframerah

Cina Sensor Fotolistrik Inframerah

YJJ S16838-01MS Silikon Photodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

Kapasitas persimpangan:700 halF

Waktu Bangun:2,5 mikrodetik

Arus Gelap:10 Pa
YJJ S16765-01MS Silikon Fotodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

Sensitivitas fotosensitif:0.3 a/w

Arus Gelap:10 Pa

Waktu Bangun:2,5 mikrodetik
YJJ S16767-01MS Silikon Photodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

Sensitivitas fotosensitif:0.3 a/w

Arus Gelap:10 Pa

Waktu Bangun:2,5 mikrodetik
YJJ S4111-35Q Silicon Photodiode Array Digunakan di Ultraviolet ke Band Infrared Dekat

Pixel size:0.9 × 4.4mm

Jumlah Piksel:35

Kemasan:Keramik
S1133 S1133-14 S1133-01 Si Photodiode Keramik Paket Photodiode Dengan Arus Gelap Rendah

Ukuran Area Aktif:2.4x2.8

Area aktif yang efektif:6.6

Tegangan Terbalik VR Max.:10
S7686 Si Photodiode Sangat Sensitif dengan Panjang Gelombang Sensitivitas Puncak pada 550 nm dan Kisaran Respon Spektral 480-660 nm

Tegangan Balik:10 V

Suhu operasi:-10 sampai +60 °C

Suhu penyimpanan:-20 hingga +70 °C
G12180-005A InGaAs PIN photodiode dengan Low Noise dalam TO-18 Package

Sisi penerima cahaya:φ0,5 mm

Jumlah Piksel:1

Enkapsulasi:Logam
G12180-010A Low Junction Capacitance InGaAs PIN Photodiode dengan rentang panjang gelombang sensitivitas 0,9 sampai 1,7 μm dan Metal Encapsulation

Sisi penerima cahaya:φ1.0 mm

Jumlah Piksel:1

Enkapsulasi:Logam
S6931-01 Silikon fotodioda dibentuk menjadi kemasan plastik bening

Sisi penerima cahaya:2,4 × 2,8 mm

Enkapsulasi:Plastik

Pendinginan:Tidak didinginkan
S6775 S6775-01 Silikon PIN Photodiode Respon kecepatan tinggi

Sisi penerima cahaya:5,5 × 4,8 mm

Enkapsulasi:Plastik

Pendinginan:Tidak didinginkan
UVTRON R9533 Mudah dipasang di sebagian besar perangkat dengan sensitivitas tinggi dan bidang pandang yang luas menggunakan bahan Ni electrode

Bahan Elektroda:Ni

Berat badan:2,5g

[Peringkat maksimum]:30 jt
Silicon Photodiode S12742-254 Silicon Photodiode Dengan Filter Interferensi

Sisi penerima cahaya:3,6 × 3,6 mm

Enkapsulasi:Logam

Kategori paket:TO-5 dengan filter

Page 5 of 13|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Telusuri kategori：

Sensor Fotolistrik Inframerah

Cina Sensor Fotolistrik Inframerah

YJJ S16838-01MS Silikon Photodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

YJJ S16765-01MS Silikon Fotodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

YJJ S16767-01MS Silikon Photodiode Digunakan dalam Cahaya Terlihat ke Band Infrared Dekat

YJJ S4111-35Q Silicon Photodiode Array Digunakan di Ultraviolet ke Band Infrared Dekat

S1133 S1133-14 S1133-01 Si Photodiode Keramik Paket Photodiode Dengan Arus Gelap Rendah

S7686 Si Photodiode Sangat Sensitif dengan Panjang Gelombang Sensitivitas Puncak pada 550 nm dan Kisaran Respon Spektral 480-660 nm

G12180-005A InGaAs PIN photodiode dengan Low Noise dalam TO-18 Package

G12180-010A Low Junction Capacitance InGaAs PIN Photodiode dengan rentang panjang gelombang sensitivitas 0,9 sampai 1,7 μm dan Metal Encapsulation

S6931-01 Silikon fotodioda dibentuk menjadi kemasan plastik bening

S6775 S6775-01 Silikon PIN Photodiode Respon kecepatan tinggi

UVTRON R9533 Mudah dipasang di sebagian besar perangkat dengan sensitivitas tinggi dan bidang pandang yang luas menggunakan bahan Ni electrode

Silicon Photodiode S12742-254 Silicon Photodiode Dengan Filter Interferensi

Sensor Gas Oksigen

Eelctrochemical Gas Sensor 5FO AAA32-400 Eelctrochemical Gas Sensor Oksigen Seri Lima 2 Tahun di Udara

2FO AA625-180 Sensor oksigen udara Efisiensi pembakaran untuk detektor gas tetap

O2-C2 Oxygen Gas Sensor Sensor O2 Elektrokimia Untuk Alarm Oksigen Dua Tahun Hidup

Sensor Gas Elektrokimia

4NH3-500 CLE-1052-4000 Amonia Sensor Gas Elektrokimia 500 PPM

KE-25 KE-50 Sensor Gas Rumah Kaca Penggunaan Elektrokimia Untuk Pendingin

Sensor Gas Elektrokimia Sulfur Dioksida 5SF 2000ppm Seri 5