Cina Sensor Fotolistrik Inframerah

Silikon fotodioda S1337-66BQ S1337-33BQ Kapasitas rendah

Sisi penerima cahaya:5,8 × 5,8 mm

Enkapsulasi:Keramik

Pendinginan:Tidak didinginkan
Silicon PIN Photodiode S5821-01 Respon Kecepatan Tinggi Arus Gelap Rendah

Sisi penerima cahaya:φ1.2 mm

Enkapsulasi:Logam

Kategori paket:To-18 dengan lensa
Silicon Pin photodiode S1226-8BK S1226-8BQ Keandalan tinggi

Sisi penerima cahaya:5,8 × 5,8 mm

Enkapsulasi:Logam

Kategori paket:KE-8
Silikon Photodiode S2387-66R Cocok untuk Visible ke Infrared Universal Photometer

Bahan Jendela:Pot resin

Paket:8.9 x 10.1

Ukuran area fotosensitif:5.8 x 5.8
Silikon PIN Photodiode S5971 Harga rendah Keandalan tinggi dengan tegangan terbalik maksimal 20 V

Sisi penerima cahaya:φ1.2 mm

Enkapsulasi:Logam

Kategori paket:KE-18
Silicon Photodiode S1227-66BQ S1227-66BR Sensitivitas IR yang ditekan

Sisi penerima cahaya:5,8 × 5,8 mm

Enkapsulasi:Keramik

Pendinginan:Tidak didinginkan
Silikon Photodiode S1227-33BQ S1227-33BR Rentang Respon Spektral 190 hingga 1000 nm dan Sensitivitas IR yang Ditekan

Sisi penerima cahaya:2,4 × 2,4 mm

Enkapsulasi:Keramik

Pendinginan:Tidak didinginkan
Silikon fotodioda S1337-1010BR S1337-1010BQ Kapasitas rendah

Sisi penerima cahaya:10 × 10 mm

Enkapsulasi:Keramik

Pendinginan:Tidak didinginkan
YJJ S1223 S1223-01 Silikon PIN Photodiode Digunakan Untuk Penentuan Fotometrik yang Tepat Dalam Cahaya Terlihat Untuk Band Infrared Dekat

Permukaan yang diterangi:3.6 × 3.6mm

Kemasan:Logam

Kategori pengemasan:KE-5
YJJ G6854-01 InGaAs PIN Photodiode Spherical Lens Window Dikemas

Disipasi panas:jenis non-pendinginan

Kisaran panjang gelombang sensitivitas:0,9 hingga 1,7 μm

Panjang gelombang sensitivitas maksimum (nilai khas):1,55 mikron
S16767-01MS Silikon Photodiode Low Dark Current For Visible Range Paket yang sudah dicetak sebelumnya

Daerah fotosensitif:2,8 × 2,4 mm

Kemasan:Plastik

Pendinginan:Tidak didinginkan
Silikon Photodiode S16840-02MS yang terlihat pada pita inframerah dengan Sensitivitas Photosensitive 0.3 A/W dan Rise Time 2.5 μs

Arus Gelap:10 Pa

Waktu Bangun:2,5 mikrodetik

Sensitivitas fotosensitif:0.3 a/w

Page 4 of 13|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Sensor Fotolistrik Inframerah

Cina Sensor Fotolistrik Inframerah

Silikon fotodioda S1337-66BQ S1337-33BQ Kapasitas rendah

Silicon PIN Photodiode S5821-01 Respon Kecepatan Tinggi Arus Gelap Rendah

Silicon Pin photodiode S1226-8BK S1226-8BQ Keandalan tinggi

Silikon Photodiode S2387-66R Cocok untuk Visible ke Infrared Universal Photometer

Silikon PIN Photodiode S5971 Harga rendah Keandalan tinggi dengan tegangan terbalik maksimal 20 V

Silicon Photodiode S1227-66BQ S1227-66BR Sensitivitas IR yang ditekan

Silikon Photodiode S1227-33BQ S1227-33BR Rentang Respon Spektral 190 hingga 1000 nm dan Sensitivitas IR yang Ditekan

Silikon fotodioda S1337-1010BR S1337-1010BQ Kapasitas rendah

YJJ S1223 S1223-01 Silikon PIN Photodiode Digunakan Untuk Penentuan Fotometrik yang Tepat Dalam Cahaya Terlihat Untuk Band Infrared Dekat

YJJ G6854-01 InGaAs PIN Photodiode Spherical Lens Window Dikemas

S16767-01MS Silikon Photodiode Low Dark Current For Visible Range Paket yang sudah dicetak sebelumnya

Silikon Photodiode S16840-02MS yang terlihat pada pita inframerah dengan Sensitivitas Photosensitive 0.3 A/W dan Rise Time 2.5 μs

Sensor Gas Oksigen

Eelctrochemical Gas Sensor 5FO AAA32-400 Eelctrochemical Gas Sensor Oksigen Seri Lima 2 Tahun di Udara

2FO AA625-180 Sensor oksigen udara Efisiensi pembakaran untuk detektor gas tetap

O2-C2 Oxygen Gas Sensor Sensor O2 Elektrokimia Untuk Alarm Oksigen Dua Tahun Hidup

Sensor Gas Elektrokimia

4NH3-500 CLE-1052-4000 Amonia Sensor Gas Elektrokimia 500 PPM

KE-25 KE-50 Sensor Gas Rumah Kaca Penggunaan Elektrokimia Untuk Pendingin

Sensor Gas Elektrokimia Sulfur Dioksida 5SF 2000ppm Seri 5